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Improving performance of semipolar (202¯1) light emitting diodes through reduction of threading dislocations by AlGaN/GaN superlattice interlayer 期刊论文
Journal of Crystal Growth, 2020, 卷号: 536
作者:  Song, Jie;  Choi, Joowon;  Han, Jung
Adobe PDF(1065Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：200/1  |  提交时间：2020/03/12
Gallium nitride  Dislocations  Metalorganic chemical vapor deposition  Superlattice  Light emitting diodes  
Optical and structural properties of self-assembled ZnO QD chains by L-MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2007, 卷号: 303, 期号: 2, 页码: 407-413
作者:  Bi Zhen;  Zhang Jingwen;  Yang Xiaodong;  Wang Dong;  Zhang Xin'an;  Weifeng, Zhang;  Hou Xun
Adobe PDF(891Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：378/0  |  提交时间：2010/01/12
Low Dimensional Structures  Laser Epitaxy  Semiconducting Ii-vi Materials  
ZnO thin film photoconductive ultraviolet detector with fast photoresponse 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2006, 卷号: 289, 期号: 1, 页码: 44-47
作者:  Xu, QA;  Zhang, JW;  Ju, KR;  Yang, XD;  Hou, X
Adobe PDF(372Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：393/1  |  提交时间：2010/01/12
Photoresponsivity  Response Time  Radio Frequency Sputtering  Zno  Detector  
Glancing-incidence X-ray analysis of ZnO thin films and ZnO/ZnMgO hetero structures grown by laser-MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2005, 卷号: 284, 期号: 1-2, 页码: 123-128
作者:  Yang, XD;  Zhang, JW;  Bi, Z;  He, YN;  Xu, Q;  Wang, HB;  Zhang, WF;  Hou, X
Adobe PDF(308Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：141/1  |  提交时间：2015/08/15
Glancing Incidence X-ray Analysis  Time-integrated Photoluminescence  X-ray Reflectivity  Laser Mbe  
Optical responses of ZnSe quantum dots in silica gel glasses 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2004, 卷号: 268, 期号: 3-4, 页码: 580-584
作者:  Wang, YP;  Yao, X;  Wang, MQ;  Kong, FT;  He, JF;  Wang Yunpeng
Adobe PDF(190Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：361/1  |  提交时间：2010/01/12
Optical Properties  Quantum Dots  Znse  Semiconducting Ii-vi Materials  
High-quality GaN grown by gas-source MBE 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2001, 卷号: 227, 页码: 386-389
作者:  Wang, JX;  Sun, DZ;  Wang, XL;  Li, JM;  Zeng, YP;  Hou, X;  Lin, LY
Adobe PDF(100Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：242/0  |  提交时间：2015/11/09
Characterization  Molecular Beam Epitaxy  Gallium Compounds  Nitrides  Piezoelectric Materials  Semiconducting Gallium Compounds  
Study of GSMBE growth and characteristics of high-quality strained In0.63Ga0.37As/InP quantum wells 期刊论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 1997, 卷号: 180, 期号: 1, 页码: 22-26
作者:  Wang, XL;  Sun, DZ;  Kong, MY;  Hou, X;  Zeng, YP
Adobe PDF(330Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：157/0  |  提交时间：2018/06/13
Quantum Wells  Gsmbe  Ingaas/inp  Photoluminescence