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| GaN基脊型激光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103618212A, 申请日期: 2014-03-05, 公开日期: 2014-03-05 发明人: 孟令海; 康香宁; 刘宁炀; 陈景春; 吴勇; 刘诗宇; 胡晓东 Adobe PDF(1757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:104/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| GaN基脊型激光二极管的制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN103138154A, 申请日期: 2013-06-05, 公开日期: 2013-06-05 发明人: 鲁辞莽; 康香宁; 胡晓东; 陈伟华; 张国义; 秦志新; 吴洁君; 于彤军; 陈志忠 Adobe PDF(495Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:105/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN101257080A, 申请日期: 2008-09-03, 公开日期: 2008-09-03 发明人: 胡晓东; 张国义; 章蓓; 杨志坚; 康香宁; 李睿; 陈伟华; 赵璐冰; 李丁 Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:70/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN100352116C, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2007-11-28 发明人: 康香宁; 胡晓东; 王琦; 章蓓; 杨志坚; 徐科; 陈志忠; 于彤军; 秦志新; 张国义 Adobe PDF(549Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:141/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 高亮度GaN基发光管芯片及其制备方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1874012A, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2006-12-06 发明人: 康香宁; 章蓓; 陈勇; 包魁; 徐科; 张国义; 陈志忠; 胡晓东 Adobe PDF(563Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:109/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN1779900A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31 发明人: 张国义; 康香宁; 陈志忠; 陈皓明; 秦志新; 于彤军; 胡晓东; 章蓓; 杨志坚 Adobe PDF(534Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:72/0  |  提交时间:2020/01/18 |