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抑制GaAs基激光器高阶模的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104300367B, 申请日期: 2017-09-26, 公开日期: 2017-09-26
发明人:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军
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一种具有低电子泄漏的砷化镓激光器及其制作方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN104600565B, 申请日期: 2017-08-25, 公开日期: 2017-08-25
发明人:  李翔;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军
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GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069433A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18
发明人:  邢瑶;  赵德刚;  江德生;  刘宗顺;  陈平;  朱建军;  杨静
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