GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法

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	GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法
其他题名	GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法
	邢瑶; 赵德刚; 江德生; 刘宗顺; 陈平; 朱建军; 杨静
	2017-08-18
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2017-08-18
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种GaN基紫外激光器晶圆，包括叠置于GaN衬底正面上的n型限制层、n型波导层、有源区、u型波导层、p型限制层和p型接触层，其中：在n型波导层和有源区之间还有一n型空穴阻挡层；在u型波导层和p型限制层之间还有一p型电子阻挡层；该GaN基紫外激光器晶圆为脊型结构。以及一种GaN基紫外激光器晶圆的制备方法、通过解理、镀膜形成的激光芯片、通过封装形成的激光器。本发明在u型波导层/n型波导层与限制层/有源区之间插入p型电子阻挡层/n型空穴阻挡层；可在u型波导层与限制层之间/n型波导层和有源区之间形成高的势垒，有效阻止电子/空穴泄漏到有源区以外靠近p/n区的位置；从而可降低GaN基紫外激光器的阈值电流，提高功率和光电转换效率。
其他摘要	一种GaN基紫外激光器晶圆，包括叠置于GaN衬底正面上的n型限制层、n型波导层、有源区、u型波导层、p型限制层和p型接触层，其中：在n型波导层和有源区之间还有一n型空穴阻挡层；在u型波导层和p型限制层之间还有一p型电子阻挡层；该GaN基紫外激光器晶圆为脊型结构。以及一种GaN基紫外激光器晶圆的制备方法、通过解理、镀膜形成的激光芯片、通过封装形成的激光器。本发明在u型波导层/n型波导层与限制层/有源区之间插入p型电子阻挡层/n型空穴阻挡层；可在u型波导层与限制层之间/n型波导层和有源区之间形成高的势垒，有效阻止电子/空穴泄漏到有源区以外靠近p/n区的位置；从而可降低GaN基紫外激光器的阈值电流，提高功率和光电转换效率。
申请日期	2017-06-20
专利号	CN107069433A
专利状态	申请中
申请号	CN201710472653.3
公开（公告）号	CN107069433A
IPC 分类号	H01S5/343 \| H01S5/34
专利代理人	任岩
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/91991
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	邢瑶,赵德刚,江德生,等. GaN基紫外激光器晶圆、激光器芯片及激光器及其制备方法. CN107069433A[P]. 2017-08-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN107069433A.PDF（497KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文