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窒化物半導体レーザ素子とこれを含む光学装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4854133B2, 申请日期: 2011-11-04, 公开日期: 2012-01-18
发明人:  津田 有三;  伊藤 茂稔;  石田 真也;  花岡 大介;  神川 剛;  近江 晋
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