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一种长波长垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106856296B, 申请日期: 2019-07-05, 公开日期: 2019-07-05
发明人:  刘丽杰;  王玥;  吴远大;  安俊明;  胡雄伟
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一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105406359B, 申请日期: 2019-06-18, 公开日期: 2019-06-18
发明人:  朱振;  张新;  徐现刚
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基于低维结构的跨光谱高效锑化物红外探测器研究 学位论文
, 西安: 西安交通大学（光机所联合培养）, 2019
作者:  郭春妍
Adobe PDF(18400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：346/1  |  提交时间：2019/06/20
锑化物半导体  分子束外延  可见红外融合型探测器  中长双色红外探测器  新型锑化物遥感探测器  
低功率光纤光收发器 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN109644050A, 申请日期: 2019-04-16, 公开日期: 2019-04-16
发明人:  大卫·M·雷克托;  雷蒙德·W·赖斯;  史蒂文·沃茨;  文斯·B·哈德利
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一种用于大功率VCSEL芯片的散热基板 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN107134713B, 申请日期: 2019-03-26, 公开日期: 2019-03-26
发明人:  林涛;  张天杰
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一种晶圆对晶圆的半导体激光器芯片老化测试装置 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN208580182U, 申请日期: 2019-03-05, 公开日期: 2019-03-05
发明人:  邱德明;  张振峰;  杨国良
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