Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器 | |
| 其他题名 | 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器 |
| 朱振; 张新; 徐现刚 | |
| 2019-06-18 | |
| 专利权人 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 公开日期 | 2019-06-18 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器，包括从下至上依次为衬底、下包层、有源区、第一上包层、腐蚀阻挡层、第二上包层和欧姆接触层；其特征在于，所述腐蚀阻挡层为从下至上依次排列的(AlaGa1‑a)0.5In0.5P、GabIn1‑bP及(AlaGa1‑a)0.5In0.5P三层结构，每层厚度的范围5‑15nm，其中，a取值为0.1‑0.5，b取值为0.5‑0.7；所述有源区为从下至上依次排列的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P势垒层、GayIn1‑yP量子阱及(AlxGa1‑x)0.5In0.5P势垒层，其中，x取值为0.4‑0.6，y取值为0.4‑0.6；且b、y取值满足条件：b＞y。本发明在进行杂质诱导量子阱混杂形成非吸收窗口时，所述腐蚀阻挡层可以降低Al、Ga原子互扩散程度，提高腐蚀阻挡层与第二上包层的腐蚀选择比。制作脊型波导结构时，腐蚀面平整，光输出模式稳定。 |
| 其他摘要 | 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器，包括从下至上依次为衬底、下包层、有源区、第一上包层、腐蚀阻挡层、第二上包层和欧姆接触层；其特征在于，所述腐蚀阻挡层为从下至上依次排列的(AlaGa1‑a)0.5In0.5P、GabIn1‑bP及(AlaGa1‑a)0.5In0.5P三层结构，每层厚度的范围5‑15nm，其中，a取值为0.1‑0.5，b取值为0.5‑0.7；所述有源区为从下至上依次排列的(AlxGa1‑x)0.5In0.5P势垒层、GayIn1‑yP量子阱及(AlxGa1‑x)0.5In0.5P势垒层，其中，x取值为0.4‑0.6，y取值为0.4‑0.6；且b、y取值满足条件：b＞y。本发明在进行杂质诱导量子阱混杂形成非吸收窗口时，所述腐蚀阻挡层可以降低Al、Ga原子互扩散程度，提高腐蚀阻挡层与第二上包层的腐蚀选择比。制作脊型波导结构时，腐蚀面平整，光输出模式稳定。 |
| 授权日期 | 2019-06-18 |
| 申请日期 | 2015-12-29 |
| 专利号 | CN105406359B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201511019089.7 |
| 公开（公告）号 | CN105406359B |
| IPC 分类号 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 吕利敏 |
| 代理机构 | 济南金迪知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38629 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 山东华光光电子股份有限公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱振,张新,徐现刚. 一种含有高选择性腐蚀阻挡层的AlGaInP半导体激光器. CN105406359B[P]. 2019-06-18. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN105406359B.PDF（491KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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