Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种长波长垂直腔面发射激光器 | |
| 其他题名 | 一种长波长垂直腔面发射激光器 |
| 刘丽杰; 王玥; 吴远大; 安俊明; 胡雄伟 | |
| 2019-07-05 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2019-07-05 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 本发明公开了一种长波长垂直腔面发射激光器，包括衬底，衬底上依次为n型DBR、n型空间层、有源区、p型空间层、出光孔，p面电极蒸镀于p型空间层上，并包围出光孔，n型DBR中间设有电流限制层，电流限制层上形成有圆形电流限制孔，衬底和n型DBR为等直径的圆台型结构，其直径大于所述出光孔的直径，小于长波长垂直腔面发射激光器最终解离芯片横向尺寸。该结构能够减小长波长垂直腔面发射激光器内部的串联电阻，增加注入载流子的效率，实现器件的高速特性的改进。 |
| 其他摘要 | 本发明公开了一种长波长垂直腔面发射激光器，包括衬底，衬底上依次为n型DBR、n型空间层、有源区、p型空间层、出光孔，p面电极蒸镀于p型空间层上，并包围出光孔，n型DBR中间设有电流限制层，电流限制层上形成有圆形电流限制孔，衬底和n型DBR为等直径的圆台型结构，其直径大于所述出光孔的直径，小于长波长垂直腔面发射激光器最终解离芯片横向尺寸。该结构能够减小长波长垂直腔面发射激光器内部的串联电阻，增加注入载流子的效率，实现器件的高速特性的改进。 |
| 授权日期 | 2019-07-05 |
| 申请日期 | 2016-12-27 |
| 专利号 | CN106856296B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN201611232774.2 |
| 公开（公告）号 | CN106856296B |
| IPC 分类号 | H01S5/183 | H01S5/02 |
| 专利代理人 | 任岩 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38702 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘丽杰,王玥,吴远大,等. 一种长波长垂直腔面发射激光器. CN106856296B[P]. 2019-07-05. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106856296B.PDF（516KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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