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Photodiode array, method for manufacturing photodiode array, epitaxial wafer, and method for manufacturing epitaxial wafer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8309380, 申请日期: 2012-11-13, 公开日期: 2012-11-13
发明人:  AKITA, KATSUSHI;  ISHIZUKA, TAKASHI;  FUJII, KEI;  NAGAI, YOUICHI;  NAKAHATA, HIDEAKI
Adobe PDF(208Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/12/24
背光PIN光电二极管 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN202405297U, 申请日期: 2012-08-29, 公开日期: 2012-08-29
发明人:  秦龙;  唐琦
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Optical waveguide integrated semiconductor optical device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8233515, 申请日期: 2012-07-31, 公开日期: 2012-07-31
发明人:  TAKIGUCHI, TOHRU
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电吸收调制器及光半导体装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102540504A, 申请日期: 2012-07-04, 公开日期: 2012-07-04
发明人:  大和屋武
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Semiconductor laser and method of manufacturing the same 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8213477, 申请日期: 2012-07-03, 公开日期: 2012-07-03
发明人:  KOBAYASHI, RYUJI
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选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102496853A, 申请日期: 2012-06-13, 公开日期: 2012-06-13
发明人:  张灿;  朱洪亮;  梁松;  马丽
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一种多波长分布反馈式半导体激光器装置及其制作方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN102403651A, 申请日期: 2012-04-04, 公开日期: 2012-04-04
发明人:  周亚亭;  陈向飞
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抛物柱面波导型准直透镜和可调外腔激光二极管 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1874093B, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2012-03-28
发明人:  金铉洙;  沈恩德
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斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102025110B, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2012-03-28
发明人:  陆全勇;  张伟;  王利军;  刘俊岐;  李路;  刘峰奇;  王占国
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InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN102064472B, 申请日期: 2012-03-28, 公开日期: 2012-03-28
发明人:  孔金霞;  徐波;  王占国
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