Optical waveguide integrated semiconductor optical device

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	Optical waveguide integrated semiconductor optical device
其他题名	Optical waveguide integrated semiconductor optical device
	TAKIGUCHI, TOHRU
	2012-07-31
专利权人	MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
公开日期	2012-07-31
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	An optical waveguide integrated semiconductor optical device includes a laser and an optical waveguide. The laser includes an active layer and a first cladding layer which are stacked on a second cladding layer. The optical waveguide includes an optical guiding layer and an undoped InP layer which are also stacked on the second cladding layer. A high resistance layer is located between the top surface of the optical guiding layer and a surface of the undoped InP layer and between a side of the first cladding layer and a side of the undoped InP layer.
其他摘要	光波导集成半导体光学器件包括激光器和光波导。激光器包括有源层和第一包层，它们堆叠在第二包层上。光波导包括光引导层和未掺杂的InP层，它们也堆叠在第二覆层上。高电阻层位于光引导层的顶表面和未掺杂的InP层的表面之间以及第一包层的一侧和未掺杂的InP层的一侧之间。
授权日期	2012-07-31
申请日期	2010-02-26
专利号	US8233515
专利状态	授权
申请号	US12/713215
公开（公告）号	US8233515
IPC 分类号	H01S3/04 \| H01S5/00
专利代理人	-
代理机构	LEYDIG,VOIT & MAYER,LTD.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41966
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
推荐引用方式 GB/T 7714	TAKIGUCHI, TOHRU. Optical waveguide integrated semiconductor optical device. US8233515[P]. 2012-07-31.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US8233515.PDF（258KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文