Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 | |
其他题名 | 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法 |
陆全勇; 张伟; 王利军; 刘俊岐; 李路; 刘峰奇; 王占国 | |
2012-03-28 | |
专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
公开日期 | 2012-03-28 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法,其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器,包括:一InP衬底;一InP波导限制层制作在InP衬底上;一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上;一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上;一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上;一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中;一InP盖层制作在InGaAs上波导层上;一接触层制作在盖层上,形成二次外延片;在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道,形成斜形脊状波导,该V形双沟道的深度到达限制层内;一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面,接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口;一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面;一金属金层制作在正面电极上,且填满两个V形双沟道;一合金电极制作在InP衬底的背面。 |
其他摘要 | 一种斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法,其中斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器,包括:一InP衬底;一InP波导限制层制作在InP衬底上;一InGaAs下波导层制作在InP波导限制层上;一应变补偿有源层制作在InGaAs下波导层上;一InGaAs上波导层制作在应变补偿有源层上;一二维长方光子晶体点阵图形制作在InGaAs上波导层中;一InP盖层制作在InGaAs上波导层上;一接触层制作在盖层上,形成二次外延片;在该二次外延片的表面向下刻蚀有V形双沟道,形成斜形脊状波导,该V形双沟道的深度到达限制层内;一二氧化硅层制作在V形双沟道及接触层的表面,接触层表面的二氧化硅层的中间开有一电流注入窗口;一正面电极制作在刻蚀后的二次外延片的表面;一金属金层制作在正面电极上,且填满两个V形双沟道;一合金电极制作在InP衬底的背面。 |
申请日期 | 2009-09-09 |
专利号 | CN102025110B |
专利状态 | 失效 |
申请号 | CN200910092876.2 |
公开(公告)号 | CN102025110B |
IPC 分类号 | H01S5/34 | H01S5/343 | H01S5/223 | H01S5/065 | H01S5/028 | H01S5/024 |
专利代理人 | 汤保平 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/48296 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆全勇,张伟,王利军,等. 斜腔面二维光子晶体分布反馈量子级联激光器及制备方法. CN102025110B[P]. 2012-03-28. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN102025110B.PDF(672KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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