InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构

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	InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构
其他题名	InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构
	孔金霞; 徐波; 王占国
	2012-03-28
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-03-28
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层制作在衬底上；一下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子-空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下波导层上，作为激光器的有源区，是激光器的核心部位；一上波导层制作在1-20周期的匹配或张应变结构层上，作为载流子限制层，将载流子限制在有源区，进而提高电子-空穴复合效率，提高激光器工作温度；一上包覆层制作在上波导层上；一欧姆接触层制作在上包覆层上，其晶格常数与衬底匹配；一上电极制作在欧姆接触层上，为有源区提供空穴；一下电极制作在减薄后的衬底上，为有源区提供电子。
其他摘要	一种InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构，包括：一衬底；一下包覆层制作在衬底上；一下波导层制作在下包覆层上，作为载流子限制层，提高电子-空穴复合效率，提高激光器的工作温度；一1-20周期的匹配或张应变结构层制作在下波导层上，作为激光器的有源区，是激光器的核心部位；一上波导层制作在1-20周期的匹配或张应变结构层上，作为载流子限制层，将载流子限制在有源区，进而提高电子-空穴复合效率，提高激光器工作温度；一上包覆层制作在上波导层上；一欧姆接触层制作在上包覆层上，其晶格常数与衬底匹配；一上电极制作在欧姆接触层上，为有源区提供空穴；一下电极制作在减薄后的衬底上，为有源区提供电子。
申请日期	2010-12-08
专利号	CN102064472B
专利状态	失效
申请号	CN201010591575.7
公开（公告）号	CN102064472B
IPC 分类号	H01S5/343
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47975
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	孔金霞,徐波,王占国. InP基长波长2-3μm准量子点激光器结构. CN102064472B[P]. 2012-03-28.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102064472B.PDF（433KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文