选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法

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	选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法
其他题名	选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法
	张灿; 朱洪亮; 梁松; 马丽
	2012-06-13
专利权人	中国科学院半导体研究所
公开日期	2012-06-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在InP衬底上制作两条介质掩膜图形，该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区；步骤2：在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区；步骤3：在多量子阱有源区上制作均匀光栅；步骤4：腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模，在光栅层上依次生长InP包层和电接触层；步骤5：在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区，刻蚀深度到达InP包层的表面；步骤6：电接触层上刻蚀脊波导结构；步骤7：在脊波导结构上蒸镀正面电极；步骤8：将InP衬底减薄，在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极；步骤9：在管芯一端蒸镀抗反射薄膜，另一端蒸镀高反射膜，完成自脉动器件管芯的制作。
其他摘要	一种选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在InP衬底上制作两条介质掩膜图形，该两条介质掩膜图形分别包括A段、B段和过渡区；步骤2：在制作有介质掩膜图形的衬底上外延生长多量子阱有源区；步骤3：在多量子阱有源区上制作均匀光栅；步骤4：腐蚀去掉介质掩膜图形对应的介质掩模，在光栅层上依次生长InP包层和电接触层；步骤5：在介质掩膜图形的A段和B段之间刻蚀电隔离区，刻蚀深度到达InP包层的表面；步骤6：电接触层上刻蚀脊波导结构；步骤7：在脊波导结构上蒸镀正面电极；步骤8：将InP衬底减薄，在减薄的InP衬底背面蒸镀背面电极；步骤9：在管芯一端蒸镀抗反射薄膜，另一端蒸镀高反射膜，完成自脉动器件管芯的制作。
申请日期	2011-12-13
专利号	CN102496853A
专利状态	授权
申请号	CN201110415079.0
公开（公告）号	CN102496853A
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/22 \| H01S5/343
专利代理人	汤保平
代理机构	中科专利商标代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90752
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	中国科学院半导体研究所
推荐引用方式 GB/T 7714	张灿,朱洪亮,梁松,等. 选择区域外延自脉动DFB激光器的制作方法. CN102496853A[P]. 2012-06-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102496853A.PDF（396KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文