中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共20条，第1-10条 帮助

已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
High efficiency intersubband semiconductor lasers 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2002518A4, 申请日期: 2017-03-29, 公开日期: 2017-03-29
发明人:  BOTEZ, DAN;  XU, DAPENG, P.;  MAWST, LUKE, J.
收藏  |  浏览/下载：120/0  |  提交时间：2019/12/31
Substrate-emitting transverse magnetic polarized laser employing a metal/semiconductor distributed feedback grating for symmetric-mode operation 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US9093821, 申请日期: 2015-07-28, 公开日期: 2015-07-28
发明人:  MAWST, LUKE J.;  BOTEZ, DAN;  EARLES, THOMAS L.;  KIRCH, JEREMY D.;  SIGLER, CHRISTOPHER A.
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/12/26
Type II quantum well optoelectronic devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6791104, 申请日期: 2004-09-14, 公开日期: 2004-09-14
发明人:  TANSU, NELSON;  MAWST, LUKE J.
Adobe PDF(251Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2019/12/26
Narrow lateral waveguide laser 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2004038872A2, 申请日期: 2004-05-06, 公开日期: 2004-05-06
发明人:  MAWST, LUKE, J.;  TANSU, NELSON;  NESNIDAL, MICHAEL, P.;  MEASSICK, STEVEN;  STIERS, ERIC, W.;  HANSEN, DARREN, M.;  GOODNOUGH, TROY, J.
Adobe PDF(978Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：57/0  |  提交时间：2020/01/18
Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser arrays 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6608849, 申请日期: 2003-08-19, 公开日期: 2003-08-19
发明人:  MAWST, LUKE J.;  ZHOU, DELAI
Adobe PDF(893Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：65/0  |  提交时间：2019/12/24
Vertical-cavity surface-emitting lasers with antiresonant reflecting optical waveguides 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6396865, 申请日期: 2002-05-28, 公开日期: 2002-05-28
发明人:  MAWST, LUKE J.;  ZHOU, DELAI
Adobe PDF(214Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：68/0  |  提交时间：2019/12/26
High performance aluminum free active region semiconductor lasers 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6219365, 申请日期: 2001-04-17, 公开日期: 2001-04-17
发明人:  MAWST, LUKE J.;  BOTEZ, DAN;  AL-MUHANNA, ABDULRAHMAN;  WADE, JEROME KENT
Adobe PDF(794Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2019/12/24
Narrow spectral width high-power distributed feedback semiconductor lasers 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6195381, 申请日期: 2001-02-27, 公开日期: 2001-02-27
发明人:  BOTEZ, DAN;  EARLES, THOMAS L.;  MAWST, LUKE J.
收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/24
High power laterally antiguided semiconductor light source with reduced transverse optical confinement 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CA2338106A1, 申请日期: 2000-02-03, 公开日期: 2000-02-03
发明人:  BOTEZ, DAN;  PETRESCU-PRAHOVA, IULIAN BASARAB;  MAWST, LUKE J.
收藏  |  浏览/下载：53/0  |  提交时间：2019/12/31
Low-threshold high-efficiency laser diodes with aluminum-free active region 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5889805, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
发明人:  BOTEZ, DAN;  MAWST, LUKE J.
Adobe PDF(316Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：42/0  |  提交时间：2019/12/26