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Long wavelength pseudomorphic InGaNPAsSb type-I and type-II active layers for the gaas material system 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6859474, 申请日期: 2005-02-22, 公开日期: 2005-02-22
发明人:  JOHNSON, SHANE;  DOWD, PHILIP;  BRAUN, WOLFGANG;  ZHANG, YONG-HANG;  GUO, CHANG-ZHI
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Compound semiconductor structures for optoelectronic devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6566688, 申请日期: 2003-05-20, 公开日期: 2003-05-20
发明人:  ZHANG, YONG-HANG;  DOWD, PHILIP;  BRAUN, WOLFGANG
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A multimode interference (MMI) device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1308772A2, 申请日期: 2003-05-07, 公开日期: 2003-05-07
发明人:  LAM, YEE LOY;  CHAN, YUEN CHUEN;  WU, JIANQING;  DOWD, PHILIP
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A multimode interference (MMI) device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1308772A2, 申请日期: 2003-05-07, 公开日期: 2003-05-07
发明人:  LAM, YEE LOY;  CHAN, YUEN CHUEN;  WU, JIANQING;  DOWD, PHILIP
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