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Theoretical study on time response of semiconductor photorefractive effects under subpicosecond ultra-fast X-rays 期刊论文
PHILOSOPHICAL TRANSACTIONS OF THE ROYAL SOCIETY A-MATHEMATICAL PHYSICAL AND ENGINEERING SCIENCES, 2023, 卷号: 381, 期号: 2253
作者:  Zhou, Hao;  Huang, Qi;  He, Kai;  Gao, GuiLong;  Yan, Xin;  Yao, Dong;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Hu, RongHao;  Lv, Meng
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photorefractive effect  semiconductor  electron-lattice equilibration  
一种制备在GaAs衬底上生长含Al外延层半导体材料的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN1252801C, 申请日期: 2006-04-19, 公开日期: 2006-04-19
发明人:  周均铭;  陈弘;  王文冲;  贾海强;  尚勋忠;  黄绮
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一种具有尖锐激子峰的半绝缘多量子阱的生长方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1604343A, 申请日期: 2005-04-06, 公开日期: 2005-04-06
发明人:  韩英军;  郭丽伟;  黄绮;  周均铭
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一种具有AlAs氧化层的半导体型材 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN2653692Y, 申请日期: 2004-11-03, 公开日期: 2004-11-03
发明人:  周均铭;  陈弘;  王文冲;  贾海强;  黄绮
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一种具有AlAs氧化层的半导体材料 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1536610A, 申请日期: 2004-10-13, 公开日期: 2004-10-13
发明人:  周均铭;  陈弘;  王文冲;  贾海强;  黄绮
Adobe PDF(549Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：36/0  |  提交时间：2020/01/18