Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 一种具有AlAs氧化层的半导体型材 | |
| 其他题名 | 一种具有AlAs氧化层的半导体型材 |
| 周均铭; 陈弘; 王文冲; 贾海强; 黄绮 | |
| 2004-11-03 | |
| 专利权人 | 中国科学院物理研究所 |
| 公开日期 | 2004-11-03 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 实用新型 |
| 摘要 | 本实用新型涉及一种具有AlAs氧化层的半导体型材，包括一常规半导体衬底、在其上依次采用公知的外延手段外延的缓冲层、AlAs氧化层和盖帽层，其特征在于：所述的AlAs氧化层为三明治结构，其包括在缓冲层上外延的一底层，在此底层上外延一氧化中间层，和在此氧化中间层上外延一顶层。该结构的AlAs氧化层可以有效地增加AlAs氧化层的氧化速率，提高氧化深度对时间关系的线性度，减少AlAs厚度对氧化速率的影响；另外，此结构的AlAs氧化层还具有优异的热稳定性，可应用于表面发射激光器结构氧化精确控制和制作更大尺寸的器件结构。 |
| 其他摘要 | 本实用新型涉及一种具有AlAs氧化层的半导体型材，包括一常规半导体衬底、在其上依次采用公知的外延手段外延的缓冲层、AlAs氧化层和盖帽层，其特征在于：所述的AlAs氧化层为三明治结构，其包括在缓冲层上外延的一底层，在此底层上外延一氧化中间层，和在此氧化中间层上外延一顶层。该结构的AlAs氧化层可以有效地增加AlAs氧化层的氧化速率，提高氧化深度对时间关系的线性度，减少AlAs厚度对氧化速率的影响；另外，此结构的AlAs氧化层还具有优异的热稳定性，可应用于表面发射激光器结构氧化精确控制和制作更大尺寸的器件结构。 |
| 申请日期 | 2003-04-18 |
| 专利号 | CN2653692Y |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN03245512.7 |
| 公开（公告）号 | CN2653692Y |
| IPC 分类号 | B32B5/00 | H01L21/00 | H01L21/314 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 王凤华 |
| 代理机构 | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47954 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 周均铭,陈弘,王文冲,等. 一种具有AlAs氧化层的半导体型材. CN2653692Y[P]. 2004-11-03. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN2653692Y.PDF（493KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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