Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 氮化物半导体发光器件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 氮化物半导体发光器件及其制造方法 |
| 神川刚; 山田英司; 荒木正浩; 金子佳加 | |
| 2012-04-11 | |
| 专利权人 | 夏普株式会社 |
| 公开日期 | 2012-04-11 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm-2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。 |
| 其他摘要 | 一种氮化物半导体激光器件，其使用低缺陷密度的基板，在氮化物半导体膜内含有很小的应变，从而使其具有令人满意的长的使用寿命，在缺陷密度为106cm-2或更低的GaN基板(10)上通过蚀刻形成条形凹陷部分(16)。在该基板(10)上生长氮化物半导体膜(11)，在远离凹陷部分(16)上方的区域中形成激光条(12)。使用这样的结构时，激光条(12)中没有应变，半导体激光器件具有长的使用寿命。另外，氮化物半导体膜(11)形成的裂隙很少，从而能够大幅提高产率。 |
| 申请日期 | 2004-07-30 |
| 专利号 | CN1581610B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN200410055604.2 |
| 公开（公告）号 | CN1581610B |
| IPC 分类号 | H01S5/00 | H01L33/00 | H01S5/343 | H01S5/02 | H01S5/22 | H01S5/223 |
| 专利代理人 | 宋莉 | 贾静环 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/47187 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 夏普株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 神川刚,山田英司,荒木正浩,等. 氮化物半导体发光器件及其制造方法. CN1581610B[P]. 2012-04-11. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1581610B.PDF（963KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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