带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器
其他题名	带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器
	曲轶; 曲博文; 李辉; 邓昀; 张斯钰; 李月一; 刘规东; 娄丽; 刘国军; 薄报学; 高欣
	2010-05-19
专利权人	长春理工大学
公开日期	2010-05-19
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	普通宽条808nm半导体激光器，输出功率很高，达到瓦级以上，但是通常为多模激光器且光束质量较差，缩小条宽可提高光束质量等，但是相应的，要以牺牲激光器的输出功率为代价。因此，带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器，便可以有效的解决这一矛盾，即保证了光束质量和输出功率。本发明的目的在于设计出一种新型结构的半导体激光器，使808nm半导体激光器在保持高功率的工作条件下，仍具有较好的光束质量与激光输出模式，为以808nm半导体激光器为泵浦源的固体激光器、材料加工等应用提供更高质量的光源。
其他摘要	普通宽条808nm半导体激光器，输出功率很高，达到瓦级以上，但是通常为多模激光器且光束质量较差，缩小条宽可提高光束质量等，但是相应的，要以牺牲激光器的输出功率为代价。因此，带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器，便可以有效的解决这一矛盾，即保证了光束质量和输出功率。本发明的目的在于设计出一种新型结构的半导体激光器，使808nm半导体激光器在保持高功率的工作条件下，仍具有较好的光束质量与激光输出模式，为以808nm半导体激光器为泵浦源的固体激光器、材料加工等应用提供更高质量的光源。
主权项	一种带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器。
申请日期	2009-05-15
专利号	CN101710670A
专利状态	失效
申请号	CN200910066954.1
公开（公告）号	CN101710670A
IPC 分类号	H01S5/00 \| H01S5/22 \| H01S5/06 \| H01S5/065 \| H01S5/028
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/66387
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	长春理工大学
推荐引用方式 GB/T 7714	曲轶,曲博文,李辉,等. 带有限制光反馈结构分别驱动的发射波长为808nm锥形半导体激光器. CN101710670A[P]. 2010-05-19.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN101710670A.PDF（201KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文