一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法

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	一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法
其他题名	一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法
	南琦; 王怀兵; 王辉; 吴岳; 傅华
	2015-03-11
专利权人	苏州新纳晶光电有限公司
公开日期	2015-03-11
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明揭示了一种在石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法，首先准备一衬底，在衬底上制备石墨烯薄层；然后在石墨烯薄层上生长GaN缓冲层；所述GaN缓冲层上生长有本征GaN层，所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层与高温GaN缓冲层，所述GaN缓冲层采用间断式多次重结晶退火生长的若干厚度相同的低温GaN缓冲薄层与若干高温GaN缓冲薄层构成。本发明突出效果为：采用石墨烯作为GaN缓冲层与衬底之间的应力释放基底，可将石墨烯作为基底的功能最大限度的发挥，有效的突破了两步生长法所能达到的晶格位错密度极限，将原有位错密度降低一个数量级以上。
其他摘要	本发明揭示了一种在石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法，首先准备一衬底，在衬底上制备石墨烯薄层；然后在石墨烯薄层上生长GaN缓冲层；所述GaN缓冲层上生长有本征GaN层，所述GaN缓冲层包括低温GaN缓冲层与高温GaN缓冲层，所述GaN缓冲层采用间断式多次重结晶退火生长的若干厚度相同的低温GaN缓冲薄层与若干高温GaN缓冲薄层构成。本发明突出效果为：采用石墨烯作为GaN缓冲层与衬底之间的应力释放基底，可将石墨烯作为基底的功能最大限度的发挥，有效的突破了两步生长法所能达到的晶格位错密度极限，将原有位错密度降低一个数量级以上。
申请日期	2014-10-27
专利号	CN104409319A
专利状态	失效
申请号	CN201410580296.9
公开（公告）号	CN104409319A
IPC 分类号	H01L21/02 \| H01L33/12 \| H01S5/323
专利代理人	陆明耀 \| 陈忠辉
代理机构	南京苏科专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90060
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州新纳晶光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	南琦,王怀兵,王辉,等. 一种石墨烯基底上生长高质量GaN缓冲层的制备方法. CN104409319A[P]. 2015-03-11.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN104409319A.PDF（825KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文