半导体激光器TO封装结构及方法

OPT OpenIR > 半导体激光器专利数据库

	半导体激光器TO封装结构及方法
其他题名	半导体激光器TO封装结构及方法
	冯美鑫; 张书明; 王辉; 刘建平; 曾畅; 李增成; 王怀兵; 杨辉
专利权人	苏州纳睿光电有限公司
公开日期	2011-12-21
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种半导体激光器TO封装结构及方法。该封装结构包括半导体激光器芯片，该芯片的至少一侧面经至少一过渡热沉与至少一热沉固定连接，且该芯片、过渡热沉和热沉均固定在管座上，并被封装于由该管座和一封帽围合形成的封闭腔体中。该方法为：在半导体激光器芯片的至少一侧面上固定连接至少一过渡热沉，而后将每一过渡热沉分别与一热沉固定连接，其后将该芯片、过渡热沉及热沉均固定在管座上，并在保护气氛中封盖，形成半导体激光器封装结构。本发明采用高热导率过渡热沉与热沉组合的结构，尤其是采用双热沉结构，可有效增强TO封装的半导体激光器的散热能力，大幅地降低激光器有源区的节温，减小激光器的热阻，延长半导体激光器的寿命。
其他摘要	本发明公开了一种半导体激光器TO封装结构及方法。该封装结构包括半导体激光器芯片，该芯片的至少一侧面经至少一过渡热沉与至少一热沉固定连接，且该芯片、过渡热沉和热沉均固定在管座上，并被封装于由该管座和一封帽围合形成的封闭腔体中。该方法为：在半导体激光器芯片的至少一侧面上固定连接至少一过渡热沉，而后将每一过渡热沉分别与一热沉固定连接，其后将该芯片、过渡热沉及热沉均固定在管座上，并在保护气氛中封盖，形成半导体激光器封装结构。本发明采用高热导率过渡热沉与热沉组合的结构，尤其是采用双热沉结构，可有效增强TO封装的半导体激光器的散热能力，大幅地降低激光器有源区的节温，减小激光器的热阻，延长半导体激光器的寿命。
申请日期	2011-08-02
专利号	CN102290704A
专利状态	失效
申请号	CN201110218489.6
公开（公告）号	CN102290704A
IPC 分类号	H01S5/024
专利代理人	-
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/44240
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	苏州纳睿光电有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	冯美鑫,张书明,王辉,等. 半导体激光器TO封装结构及方法. CN102290704A.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN102290704A.PDF（698KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文