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光集積回路の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3263949B2, 申请日期: 2001-12-28, 公开日期: 2002-03-11
发明人:  小松 啓郎;  佐々木 達也;  加藤 友章;  水戸 郁夫
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光半導体集積回路 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2953368B2, 申请日期: 1999-07-16, 公开日期: 1999-09-27
发明人:  浜本 貴一;  竹内 剛;  小松 啓郎;  田口 剣申;  佐々木 達也;  林 雅子;  水戸 郁夫
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半導体レーザアレイの製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2727944B2, 申请日期: 1997-12-12, 公开日期: 1998-03-18
发明人:  佐々木 達也;  水戸 郁夫
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光半導体素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2701569B2, 申请日期: 1997-10-03, 公开日期: 1998-01-21
发明人:  佐々木 達也;  水戸 郁夫;  加藤 友章
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2661307B2, 申请日期: 1997-06-13, 公开日期: 1997-10-08
发明人:  佐々木 達也;  山崎 裕幸;  水戸 郁夫;  鈴木 徹
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半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2658547B2, 申请日期: 1997-06-06, 公开日期: 1997-09-30
发明人:  水戸 郁夫;  江村 克己
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光集積素子の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP2542570B2, 申请日期: 1996-07-25, 公开日期: 1996-10-09
发明人:  水戸 郁夫;  村田 茂
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分布帰還型半導体レ-ザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1995001816B2, 申请日期: 1995-01-11, 公开日期: 1995-01-11
发明人:  北村 光弘;  佐々木 達也;  水戸 郁夫
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単一軸モード半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1994073388B2, 申请日期: 1994-09-14, 公开日期: 1994-09-14
发明人:  水戸 郁夫;  山口 昌幸
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単一軸モード半導体レーザ 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP1994032322B2, 申请日期: 1994-04-27, 公开日期: 1994-04-27
发明人:  水戸 郁夫
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