面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列

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	面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列
其他题名	面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列
	近藤崇; 村上朱实; 武田一隆; 城岸直辉; 早川纯一朗; 樱井淳
	2018-10-12
专利权人	富士施乐株式会社
公开日期	2018-10-12
授权国家	中国
专利类型	授权发明
摘要	本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。
其他摘要	本发明涉及面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列。面发光型半导体激光器包括：基板；第一半导体多层膜反射器，其叠置在基板上；活性区域，其叠置在第一半导体多层膜反射器上或者叠置在第一半导体多层膜反射器上方；第二半导体多层膜反射器，其叠置在活性层上或者叠置在活性层上方；腔室延伸区域，其介于第一半导体多层膜反射器与活性区域之间或者介于第二半导体多层膜反射器与活性区域之间；以及载流子块层，其介于腔室延伸区域与活性区域之间。载流子块层包括第一载流子块层和第二载流子块层。
授权日期	2018-10-12
申请日期	2015-10-09
专利号	CN105914581B
专利状态	授权
申请号	CN201510648476.0
公开（公告）号	CN105914581B
IPC 分类号	H01S5/183 \| H01S5/343 \| H01S5/42
专利代理人	王小东
代理机构	北京三友知识产权代理有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/41367
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	富士施乐株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	近藤崇,村上朱实,武田一隆,等. 面发光型半导体激光器和面发光型半导体激光器阵列. CN105914581B[P]. 2018-10-12.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105914581B.PDF（963KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文