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一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105762243A, 申请日期: 2016-07-13, 公开日期: 2016-07-13
发明人:  叶志镇;  陈珊珊;  潘新花;  黄靖云;  何海平;  吕斌
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一种ZnO基发光二极管 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN200965888Y, 申请日期: 2007-10-24, 公开日期: 2007-10-24
发明人:  朱丽萍;  顾修全;  叶志镇;  赵炳辉
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一种ZnO基量子点激光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1953284A, 申请日期: 2007-04-25, 公开日期: 2007-04-25
发明人:  叶志镇;  卢洋藩
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一种ZnO基纳米线发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1949554A, 申请日期: 2007-04-18, 公开日期: 2007-04-18
发明人:  叶志镇;  曾昱嘉
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一种ZnO基发光二极管及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1945867A, 申请日期: 2007-04-11, 公开日期: 2007-04-11
发明人:  朱丽萍;  顾修全;  叶志镇;  赵炳辉
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