一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法

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	一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法
其他题名	一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法
	叶志镇; 陈珊珊; 潘新花; 黄靖云; 何海平; 吕斌
	2016-07-13
专利权人	浙江大学
公开日期	2016-07-13
授权国家	中国
专利类型	发明申请
摘要	本发明公开了一种p‑GaN/ZnO基多量子阱/n‑ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法，该发光二极管及激光器包括p‑GaN层、ZnO/ZnMgO多量子阱层、n‑ZnO层和金属电极。其制备方法如下：首先采用分子束外延法在p‑GaN薄膜上先后制备ZnO/ZnMgO多量子阱层和n‑ZnO层；然后分别在p‑GaN及n‑ZnO区镀上金属电极。本发明所制备的器件采用ZnO/ZnMgO多量子阱作为有源层，可降低发光二极管及激光器的阈值并提高其发光效率；此外，为解决同质结构中高效稳定的p‑ZnO难以实现的问题，本发明采用p‑GaN作为空穴注入层；同时，相比于其它p型材料，GaN具有与ZnO结构相同、外延失配低的优势。
其他摘要	本发明公开了一种p‑GaN/ZnO基多量子阱/n‑ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法，该发光二极管及激光器包括p‑GaN层、ZnO/ZnMgO多量子阱层、n‑ZnO层和金属电极。其制备方法如下：首先采用分子束外延法在p‑GaN薄膜上先后制备ZnO/ZnMgO多量子阱层和n‑ZnO层；然后分别在p‑GaN及n‑ZnO区镀上金属电极。本发明所制备的器件采用ZnO/ZnMgO多量子阱作为有源层，可降低发光二极管及激光器的阈值并提高其发光效率；此外，为解决同质结构中高效稳定的p‑ZnO难以实现的问题，本发明采用p‑GaN作为空穴注入层；同时，相比于其它p型材料，GaN具有与ZnO结构相同、外延失配低的优势。
申请日期	2016-03-31
专利号	CN105762243A
专利状态	失效
申请号	CN201610201685.5
公开（公告）号	CN105762243A
IPC 分类号	H01L33/06 \| H01L33/14 \| H01L33/00 \| H01S5/347
专利代理人	韩介梅
代理机构	杭州求是专利事务所有限公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/92088
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	浙江大学
推荐引用方式 GB/T 7714	叶志镇,陈珊珊,潘新花,等. 一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法. CN105762243A[P]. 2016-07-13.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN105762243A.PDF（80KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文