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一种p-GaN/ZnO基多量子阱/n-ZnO结构的发光二极管及激光器及其制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN105762243A, 申请日期: 2016-07-13, 公开日期: 2016-07-13
发明人:  叶志镇;  陈珊珊;  潘新花;  黄靖云;  何海平;  吕斌
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