Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 | |
| 其他题名 | 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 |
| 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林 | |
| 2002-06-19 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2002-06-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件,包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层;在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口;在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层;在p型正电极接触层上制作透明正电极和正电极焊盘;在电介质层上第二次开负电极窗口,并在此窗口上制作负电极。 |
| 其他摘要 | 一种自钝化非平面结三族氮化物半导体器件,包括蓝宝石衬底并外延生长有三族氮化物缓冲层和n型三族氮化物负电极接触底层并淀积有电介质层;在淀积的电介质层上开有器件发光区窗口;在窗口区上再次外延生长有负电极接触顶层、防裂层、n型限制层、量子阱有源层、p型限制层、p型正电极接触层;在p型正电极接触层上制作透明正电极和正电极焊盘;在电介质层上第二次开负电极窗口,并在此窗口上制作负电极。 |
| 申请日期 | 2000-11-16 |
| 专利号 | CN1354528A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN00132745.3 |
| 公开（公告）号 | CN1354528A |
| IPC 分类号 | H01L33/00 | H01S5/323 | H01S5/343 | H01S53/23 |
| 专利代理人 | 汤保平 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90560 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 陆大成,王晓晖,姚文卿,等. 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法. CN1354528A[P]. 2002-06-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1354528A.PDF（1002KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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