Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 | |
| 其他题名 | 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 |
| 刘祥林; 焦春美; 于英仪; 赵凤瑗 | |
| 2006-05-31 | |
| 专利权人 | 中国科学院半导体研究所 |
| 公开日期 | 2006-05-31 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，是在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法。该方法包括步骤：a)首先在硅衬底上用金属有机物化学气相淀积工艺生长一层缓冲层；b)然后用金属有机物化学气相淀积生长一层结晶层；c)用卤化物气相外延工艺生长一层氮化镓(GaN)厚膜；d)反复交错对步骤2、步骤3多次重复，成多层结构，直至生长出厚度复合要求的氮化镓(GaN)厚膜衬底材料；e)采用化学腐蚀方法将硅衬底去除，以得到自支撑的氮化镓厚膜。 |
| 其他摘要 | 本发明涉及半导体材料技术领域，是在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法。该方法包括步骤：a)首先在硅衬底上用金属有机物化学气相淀积工艺生长一层缓冲层；b)然后用金属有机物化学气相淀积生长一层结晶层；c)用卤化物气相外延工艺生长一层氮化镓(GaN)厚膜；d)反复交错对步骤2、步骤3多次重复，成多层结构，直至生长出厚度复合要求的氮化镓(GaN)厚膜衬底材料；e)采用化学腐蚀方法将硅衬底去除，以得到自支撑的氮化镓厚膜。 |
| 申请日期 | 2004-11-25 |
| 专利号 | CN1779910A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | CN200410009858.0 |
| 公开（公告）号 | CN1779910A |
| IPC 分类号 | H01L21/205 | H01L21/02 | H01L33/00 | H01S5/323 | H01S5/343 |
| 专利代理人 | 周国城 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/90557 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 中国科学院半导体研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 刘祥林,焦春美,于英仪,等. 在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法. CN1779910A[P]. 2006-05-31. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN1779910A.PDF（633KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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