半導体レーザ装置組立体

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	半導体レーザ装置組立体
其他题名	半導体レーザ装置組立体
	河野俊介; 倉本大; 幸田倫太郎
	2018-05-18
专利权人	ソニー株式会社
公开日期	2018-06-06
授权国家	日本
专利类型	授权发明
摘要	【課題】モード同期半導体レーザ素子から出射され、半導体光増幅器に入射したレーザ光のパルス時間幅を圧縮するためのパルス圧縮器が不要である半導体レーザ装置組立体を提供する。【解決手段】半導体レーザ装置組立体は、モード同期半導体レーザ素子10、及び、モード同期半導体レーザ素子10から出射されたレーザ光が入出射される分散補償光学系110から構成されたモード同期半導体レーザ素子組立体、並びに、モード同期半導体レーザ素子組立体から出射されたレーザ光を増幅する、III-V族窒化物系半導体層の積層構造体から成る半導体光増幅器210から構成されており、モード同期半導体レーザ素子組立体から出射されたレーザ光に対して光スペクトルを整形する光スペクトル整形手段114を更に備えており、モード同期半導体レーザ素子組立体から出射されたレーザ光は、複数回、光スペクトル整形手段114を通過し、半導体光増幅器210に入射する。【選択図】図1
其他摘要	要解决的问题：提供一种半导体激光器装置组件，其不需要脉冲压缩器来压缩从锁模半导体激光器装置发射并入射在半导体光学放大器上的激光的脉冲时间宽度。一种半导体激光器件组件中，锁模半导体激光器装置10和，从激光元件10发射出的锁模半导体激光束一直锁模半导体激光器由色散补偿光学系统110入射和出射元件组件和从锁模半导体激光元件组件发射的激光半导体光放大器210由III-V族氮化物基半导体层的层叠结构构成，并且相对于从锁模半导体激光元件组件发射的激光对光谱进行整形还提供光谱整形装置114，以及从锁模半导体激光器件组件发射的光激光多次通过光谱整形装置114并入射到半导体光放大器210上。发明背景
申请日期	2017-03-31
专利号	JP6337983B2
专利状态	授权
申请号	JP2017072071
公开（公告）号	JP6337983B2
IPC 分类号	H01S5/065 \| H01S5/50 \| H01S5/06 \| H01S5/343 \| H01S5/323 \| H01S5/14
专利代理人	山本孝久 \| 吉井正明
代理机构	-
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/32496
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	ソニー株式会社
推荐引用方式 GB/T 7714	河野俊介,倉本大,幸田倫太郎. 半導体レーザ装置組立体. JP6337983B2[P]. 2018-05-18.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
JP6337983B2.PDF（6660KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文