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半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP4163321B2, 申请日期: 2008-08-01, 公开日期: 2008-10-08
发明人:  下山 謙司;  長尾 哲;  藤井 克司;  後藤 秀樹
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半導体発光装置およびその製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2007049188A, 申请日期: 2007-02-22, 公开日期: 2007-02-22
发明人:  下山 謙司;  長尾 哲;  藤井 克司;  後藤 秀樹
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V溝構造を有する半導体発光装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3446344B2, 申请日期: 2003-07-04, 公开日期: 2003-09-16
发明人:  下山 謙司;  長尾 哲;  清見 和正;  後藤 秀樹
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光半導体装置の製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3306390B2, 申请日期: 2002-05-10, 公开日期: 2002-07-24
发明人:  下山謙司;  後藤秀樹
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半導体レーザーおよびその製造方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3243808B2, 申请日期: 2001-10-26, 公开日期: 2002-01-07
发明人:  下山 謙司;  藤井 克司;  後藤 秀樹
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光半導体装置 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3241360B2, 申请日期: 2001-10-19, 公开日期: 2001-12-25
发明人:  下山 謙司;  後藤 秀樹
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2001024281A, 申请日期: 2001-01-26, 公开日期: 2001-01-26
发明人:  下山 謙司;  清見 和正
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000294879A, 申请日期: 2000-10-20, 公开日期: 2000-10-20
发明人:  下山 謙司;  清見 和正
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自励発振型半導体レーザ装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000277856A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  下山 謙司;  佐藤 義人
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半導体発光装置 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2000277865A, 申请日期: 2000-10-06, 公开日期: 2000-10-06
发明人:  下山 謙司;  細井 信行
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