Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| V溝構造を有する半導体発光装置 | |
| 其他题名 | V溝構造を有する半導体発光装置 |
| 下山 謙司; 長尾 哲; 清見 和正; 後藤 秀樹 | |
| 2003-07-04 | |
| 专利权人 | 三菱化学株式会社 |
| 公开日期 | 2003-09-16 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 【目的】 品質のよい量子細線を、容易に得られる構造を提供する。 【構成】 屈折率のより大きい第1光ガイド層を屈折率のより小さい第1及び第2クラッド層で上下に挟み込んだダブルヘテロ構造を半導体基板上にエピタキシャル成長させ、該ダブルヘテロ構造のエピタキシャル成長層の少なくとも一部に断面がV字になる溝を有し、該V字になる溝の底の部分に活性層が設けられ、かつ該活性層の左右が該光ガイド層に接しており、該活性層の上部に該活性層よりも屈折率の小さい第3クラッド層を設けることにより、該活性層がV溝内に埋め込まれた構造を有する半導体装置。 |
| 其他摘要 | 用途：提供V形槽结构，可轻松获得质量好的量子细线。组成：双异质结构，其折射率大于第一和第二包层的第一光导层垂直插入折射率小于引导层的折射率的包层之间，外延生长在半导体上在双层异质结构的外延生长层的至少一部分中设置具有形成为V形的截面的凹槽，并且在凹槽的底部设置有源层，其中截面形成为V形。此外，使有源层的左右部分与光导层接触，并且在有源层的上部设置折射率小于有源层的折射率的第三覆层。由此，制造具有结构的半导体器件，其中有源层掩埋在V形槽中。 |
| 授权日期 | 2003-07-04 |
| 申请日期 | 1994-10-26 |
| 专利号 | JP3446344B2 |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1994262839 |
| 公开（公告）号 | JP3446344B2 |
| IPC 分类号 | H01S | H01S5/343 | H01S5/00 |
| 专利代理人 | 長谷川 曉司 |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/42287 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,長尾 哲,清見 和正,等. V溝構造を有する半導体発光装置. JP3446344B2[P]. 2003-07-04. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP3446344B2.PDF（28KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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