Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 半導体発光装置 | |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 下山 謙司; 清見 和正 | |
| 2000-10-20 | |
| 专利权人 | 三菱化学株式会社 |
| 公开日期 | 2000-10-20 |
| 授权国家 | 日本 |
| 专利类型 | 发明申请 |
| 摘要 | 【課題】 しきい値電流が低くて、最高発振温度が高く、高信頼性であり、且つ円形に近いビームを形成しうる半導体発光装置を提供すること。 【解決手段】 基板上に、第1導電型のAlGaInP又はAlInPからなるクラッド層、該クラッド層の上に形成されたGaInP又はAlGaInPからなる活性層、該活性層の上に形成された第2導電型のAlGaInP又はAlInPからなる第1クラッド層、該第1クラッド層の上に形成された第2導電型のAlGaAsP又はAlGaAsからなる第2クラッド層、前記活性層の両側面を挟む電流阻止層から少なくとも構成されることを特徴とする半導体発光装置。 |
| 其他摘要 | 要解决的问题：通过在第一包层上形成由至少第二导电类型的特定材料制成的至少第二包层的半导体发光装置，获得低阈值电流，高最大振荡温度和可靠性。在有源层上形成的第二导电类型的特定材料和在有源层的两侧夹着的电流阻挡层。解决方案：在GaAs衬底101和Si掺杂的n型（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P包层105上形成Si掺杂的AlGaAs级层102和Al0.75Ga0.25As包层103。形成四层的四重量子阱有源层109，包括非掺杂（Al0.5Ga0.5）0.5In0.5P光捕获层106等。按顺序层叠第二导电类型的（Al0.7Ga0.3）0.5In0.5P第一包层110，第二导电类型的Al0.75Ga0.25As第二包层111等，以形成双异质结构。将形成有脊的晶片放置在MOCVD系统中，并且在通过蚀刻形成的脊结构的两侧上生长未掺杂的Al0.6Ga0.4As电流阻挡层115和Si掺杂的n型GaAs表面保护层116。 MOCVD。 |
| 申请日期 | 1999-04-07 |
| 专利号 | JP2000294879A |
| 专利状态 | 失效 |
| 申请号 | JP1999099975 |
| 公开（公告）号 | JP2000294879A |
| IPC 分类号 | H01S5/323 | H01L33/06 | H01S5/227 | H01L33/14 | H01L33/32 | H01S5/00 | H01L33/44 | H01L33/00 |
| 专利代理人 | 釜田 淳爾 (外2名) |
| 代理机构 | - |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76626 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱化学株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 下山 謙司,清見 和正. 半導体発光装置. JP2000294879A[P]. 2000-10-20. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| JP2000294879A.PDF（61KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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