中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR
（本次检索基于用户作品认领结果）

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

限定条件        
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
GaN基脊型激光二极管的制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN103618212A, 申请日期: 2014-03-05, 公开日期: 2014-03-05
发明人:  孟令海;  康香宁;  刘宁炀;  陈景春;  吴勇;  刘诗宇;  胡晓东
Adobe PDF(1757Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2020/01/18
氮化物基脊型发光二极管和激光器及制备方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN101257080A, 申请日期: 2008-09-03, 公开日期: 2008-09-03
发明人:  胡晓东;  张国义;  章蓓;  杨志坚;  康香宁;  李睿;  陈伟华;  赵璐冰;  李丁
Adobe PDF(598Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：54/0  |  提交时间：2020/01/18
自然解理腔面的GaN基激光二极管的制备方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN100352116C, 申请日期: 2007-11-28, 公开日期: 2007-11-28
发明人:  康香宁;  胡晓东;  王琦;  章蓓;  杨志坚;  徐科;  陈志忠;  于彤军;  秦志新;  张国义
Adobe PDF(549Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2019/12/26
GaN基外延层的大面积、低功率激光剥离方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1779900A, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2006-05-31
发明人:  张国义;  康香宁;  陈志忠;  陈皓明;  秦志新;  于彤军;  胡晓东;  章蓓;  杨志坚
Adobe PDF(534Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：60/0  |  提交时间：2020/01/18