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| 一种增强发光效率稳定输出波长的半导体激光器 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN107370020A, 申请日期: 2017-11-21, 公开日期: 2017-11-21 发明人: 方铉; 魏志鹏; 唐吉龙; 房丹; 贾慧民; 王登魁; 王菲; 李金华; 楚学影; 王晓华 Adobe PDF(93Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:132/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| 一种垂直腔面发射半导体激光器电极 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN107069423A, 申请日期: 2017-08-18, 公开日期: 2017-08-18 发明人: 魏志鹏; 唐吉龙; 方铉; 王新伟; 楚学影; 王登魁; 王菲; 冯源; 张晶; 王晓华 Adobe PDF(290Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:113/0  |  提交时间:2019/12/31 |
| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04 发明人: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴; 牛守柱; 王菲; 马晓辉; 王晓华 Adobe PDF(87Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:112/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| Ga In比例渐变的W型锑基半导体激光器 专利 专利类型: 授权发明, 专利号: CN104638517B, 申请日期: 2017-07-04, 公开日期: 2017-07-04 发明人: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 高娴; 牛守柱; 王菲; 马晓辉; 王晓华 Adobe PDF(87Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:101/0  |  提交时间:2019/12/26 |
| 一种半导体光放大器 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN106785915A, 申请日期: 2017-05-31, 公开日期: 2017-05-31 发明人: 魏志鹏; 唐吉龙; 贾慧民; 方铉; 张晶; 郝永芹; 王菲; 马晓辉; 王晓华 Adobe PDF(65Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:119/0  |  提交时间:2020/01/18 |
| 一种半导体激光器热沉 专利 专利类型: 发明申请, 专利号: CN106684700A, 申请日期: 2017-05-17, 公开日期: 2017-05-17 发明人: 唐吉龙; 魏志鹏; 方铉; 房丹; 王登魁; 王菲; 冯源; 李金华; 楚学影; 王晓华 Adobe PDF(94Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:87/0  |  提交时间:2019/12/31 |