中文版 | English

在结果中检索

OPT OpenIR

浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2019/12/26
一种提高电流注入的掩埋型分布反馈半导体结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN209358060U, 申请日期: 2019-09-06, 公开日期: 2019-09-06
发明人:  刘从军;  王兴;  张海超;  岳宗豪;  许众;  赵赫;  王凡;  高晨
Adobe PDF(268Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：136/0  |  提交时间：2019/12/26
一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206864866U, 申请日期: 2018-01-09, 公开日期: 2018-01-09
发明人:  张海超;  潘彦廷;  罗俊岗;  王兴;  师宇晨;  刘从军
Adobe PDF(491Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：88/0  |  提交时间：2019/12/26
一种抗反射的电吸收调制半导体激光器芯片 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN206820249U, 申请日期: 2017-12-29, 公开日期: 2017-12-29
发明人:  李马惠;  潘彦廷;  卫思逸;  王昱玺;  冯旭超;  穆瑶;  师宇晨;  王兴;  罗俊岗;  刘从军;  张海超;  王娜;  党晓亮
Adobe PDF(617Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：213/0  |  提交时间：2019/12/24