一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构

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	一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构
其他题名	一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构
	张海超; 潘彦廷; 罗俊岗; 王兴; 师宇晨; 刘从军
	2018-01-09
专利权人	陕西源杰半导体技术有限公司
公开日期	2018-01-09
授权国家	中国
专利类型	实用新型
摘要	本实用新型公开了一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，包括自下而上依次设置的基板、有源层和包层，包层中设置有光栅层，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层和高反射镀膜层，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层，光栅层靠近高反射镀膜层一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期，在此距离范围内芯片的SMSR最大，从而提高了芯片的SMSR特性，从而大幅提高芯片良率，且此结构的工艺技术简单，稳定，成本低。
其他摘要	本实用新型公开了一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构，包括自下而上依次设置的基板、有源层和包层，包层中设置有光栅层，激光器芯片的左右两端分别设置有抗反射镀膜层和高反射镀膜层，设定一个光栅周期包括自左向右依次设置的0.25个周期的Inp、0.5个周期的InGaAsP和0.25个周期的Inp，光栅连续排布形成光栅层，光栅层靠近高反射镀膜层一端的侧面与光栅周期零点之间的距离为0.1个光栅周期～0.25个光栅周期，在此距离范围内芯片的SMSR最大，从而提高了芯片的SMSR特性，从而大幅提高芯片良率，且此结构的工艺技术简单，稳定，成本低。
申请日期	2017-06-12
专利号	CN206864866U
专利状态	授权
申请号	CN201720685929.1
公开（公告）号	CN206864866U
IPC 分类号	H01S5/12 \| H01S5/30
专利代理人	徐文权
代理机构	西安通大专利代理有限责任公司
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49260
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	陕西源杰半导体技术有限公司
推荐引用方式 GB/T 7714	张海超,潘彦廷,罗俊岗,等. 一种改善激光器芯片边模抑制比的新型结构. CN206864866U[P]. 2018-01-09.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
CN206864866U.PDF（491KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文