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808 nm broad-area laser diodes designed for high efficiency at high-temperature operation 期刊论文
SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2021, 卷号: 36, 期号: 10
作者:  Lan, Yu;  Yang, Guowen;  Liu, Yuxian;  Zhao, Yuliang;  Wang, Zhenfu;  Li, Te;  Demir, Abdullah
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semiconductor laser  laser diode  high power  high efficiency  808 nm  
High-power operation and lateral divergence angle reduction of broad-area laser diodes at 976 nm 期刊论文
Optics and Laser Technology, 2021, 卷号: 141
作者:  Liu, Yuxian;  Yang, Guowen;  Wang, Zhenfu;  Li, Te;  Tang, Song;  Zhao, Yuliang;  Lan, Yu;  Demir, Abdullah
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Semiconductor laser  Diode laser  High power  High efficiency  Low divergence angle  High brightness  976 nm  
808 nm半导体激光芯片波导优化与效率特性分析 期刊论文
发光学报, 2021, 卷号: 42, 期号: 7, 页码: 1040-1048
作者:  常奕栋;  王贞福;  张晓颖;  杨国文;  李特;  杜宇琦;  赵宇亮;  刘育衔;  兰宇
Adobe PDF(2593Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：254/3  |  提交时间：2021/08/09
半导体激光器  光纤耦合模块  光功率  电光转换效率  
高功率半导体激光列阵芯片测试表征与仿真优化 期刊论文
发光学报, 2021, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 674-681
作者:  杜宇琦;  王贞福;  张晓颖;  杨国文;  李特;  刘育衔;  李波;  常奕栋;  赵宇亮;  兰宇
Adobe PDF(2052Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：219/1  |  提交时间：2021/06/10
高功率  半导体激光列阵芯片  高温特性  能量损耗分布  
High Efficiency 1.9 kW Single Diode Laser Bar Epitaxially Stacked with a Tunnel Junction 期刊论文
IEEE Photonics Journal, 2021, 卷号: 13, 期号: 3
作者:  Zhao, Yuliang;  Wang, Zhenfu;  Demir, Abdullah;  Yang, Guowen;  Ma, Shufang;  Xu, Bingshe;  Sun, Cheng;  Li, Bo;  Qiu, Bocang
Adobe PDF(1296Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：127/0  |  提交时间：2021/05/08
semiconductor laser  diode laser bar  high power  power conversion efficiency  tunnel junction