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像增强型全光固体超快成像探测器 专利
专利类型: 实用新型, 专利号: CN201820203457.6, 申请日期: 2018-12-21, 公开日期: 2018-09-21
发明人:  何凯;  田进寿;  汪韬;  韦永林;  徐向晏;  卢裕;  闫欣;  王兴;  尹飞;  刘虎林;  陈萍;  温文龙;  辛丽伟;  王超;  王俊锋;  赛小锋
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一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法 专利
专利类型: 发明专利, 专利号: CN201811286547.7, 申请日期: 2018-10-31, 公开日期: 2019-03-29
发明人:  闫欣;  何凯;  高贵龙;  李少辉;  汪韬;  田进寿;  尹飞
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Visible-extended mid-infrared wide spectrum detector based on InAs/GaSb type-II superlattices (T2SL) 期刊论文
INFRARED PHYSICS & TECHNOLOGY, 2018, 卷号: 89, 页码: 147-153
作者:  Guo, Chunyan;  Sun, Yaoyao;  Jia, Zhe;  Jiang, Zhi;  Lv, Yuexi;  Hao, Hongyue;  Han, Xi;  Dong, Yinan;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Wide Spectrum Detector  Microstructure  Inas/gasb Type-ii Superlattice  Photon Traps  
Surface passivation of 1550nm AlxInyAsSb avalanche photodiode 会议论文
Optoelectronic Devices and Integration VII, Beijing, China, 2018-10-11
作者:  Guo, Chunyan;  Lv, Yuexi;  Zheng, Da'nong;  Sun, Yaoyao;  Jiang, Zhi;  Jiang, Dongwei;  Wang, Guowei;  Xu, Yingqiang;  Wang, Tao;  Tian, Jinshou;  Wu, Zhaoxin;  Niu, Zhichuan
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Alxinyassb Avalanche Photodiode  Surface Passivation  Dark Current  Photocurrent