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一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法
闫欣; 何凯; 高贵龙; 李少辉; 汪韬; 田进寿; 尹飞
2018-10-31
专利权人中国科学院西安光学精密机械研究所
公开日期2019-03-29
授权国家中国
专利类型发明专利
产权排序1
摘要

本发明涉及一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法,对GaAs衬底进行分阶段腐蚀,在第一阶段将待腐蚀芯片置于NH4OH溶液和H2O2溶液的混合溶液中,在温度为35‑40℃的条件下,腐蚀GaAs衬底,对GaAs衬底进行减薄;在第二阶段,将第一阶段腐蚀后的芯片进行清洗后置于柠檬酸溶液和H2O2溶液的混合溶液中,在温度为25‑35℃的条件下,继续腐蚀GaAs衬底,直至将GaAs衬底5完全去除掉。本发明全光固体超快探测芯片的腐蚀方法,解决了单一NH4OH:H2O2体系选择性低,表面粗糙的缺点,又克服了柠檬酸:H2O2体系腐蚀速度慢,对于较厚GaAs衬底难以实现大面积均匀腐蚀的缺点,具有快的腐蚀速度且腐蚀后芯片表面均匀光滑,在保证材料表面形貌的前提下缩短了腐蚀时间。

主权项

一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法,其特征在于,包括以下步骤: 1)第一阶段腐蚀: 1)将NH4OH溶液和H2O2溶液进行混合,形成第一阶段腐蚀溶液(2); 2)将待腐蚀芯片置于第一阶段腐蚀溶液(2)中,在温度为35-40℃的条件下,腐蚀GaAs衬底(5),对GaAs衬底(5)进行减薄; 2)第二阶段腐蚀: 2.1)将柠檬酸溶液和H2O2溶液进行混合,形成第二阶段腐蚀溶液; 2.2)将步骤2)腐蚀后的芯片进行清洗后置于第二阶段腐蚀溶液中,在温度为25-35℃的条件下,继续腐蚀GaAs衬底(5),直至将GaAs衬底(5)完全去除掉。

申请日期2018-10-31
专利号CN201811286547.7
语种中文
专利状态申请中
申请号CN201811286547.7
公开(公告)号CN109545681A
IPC 分类号H01L21/306 ; H01L21/67
专利代理人杨亚婷
代理机构西安智邦专利商标代理有限公司
文献类型专利
条目标识符http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/31795
专题条纹相机工程中心
作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
第一作者单位中国科学院西安光学精密机械研究所
推荐引用方式
GB/T 7714
闫欣,何凯,高贵龙,等. 一种全光固体超快探测芯片的腐蚀方法. CN201811286547.7[P]. 2018-10-31.
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