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Study of Temperature Effects on the Design of Active Region for 808 nm High-Power Semiconductor Laser 期刊论文
CRYSTALS, 2023, 卷号: 13, 期号: 1
作者:  Wu, Shunhua;  Li, Te;  Wang, Zhenfu;  Chen, Lang;  Zhang, Jiachen;  Zhang, Junyue;  Liu, Jiachen;  Zhang, Yeqi;  Deng, Liting
Adobe PDF(5029Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：88/1  |  提交时间：2023/02/14
semiconductor laser  temperature effects  carrier confinement  internal quantum efficiency