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中国科学院西安光学精密机械研究所机构知识库
Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
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半导体激光器专利数... [21]
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专题:半导体激光器专利数据库
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Semiconductor device comprising a bonding structure including a silver-tin compound and a nickel-tin compound and method of manufacturing the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2993692A2, 申请日期: 2016-03-09, 公开日期: 2016-03-09
发明人:
CHU, KUNMO
;
MOON, CHANGYOUL
;
LEE, SUNGHEE
;
HWANG, JUNSIK
Adobe PDF(1347Kb)
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提交时间:2019/12/30
Lift-off process for GaN films formed on SiC substrates and devices fabricated using the method
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7825006, 申请日期: 2010-11-02, 公开日期: 2010-11-02
发明人:
NAKAMURA, SHUJI
;
DENBAARS, STEVEN
Adobe PDF(173Kb)
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提交时间:2019/12/24
Apparatus and method for stacking laser bars for uniform facet coating
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7268005, 申请日期: 2007-09-11, 公开日期: 2007-09-11
发明人:
CHEN, JOHN
;
LEI, CHUN
;
SHIH, ROBERT
Adobe PDF(511Kb)
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浏览/下载:58/0
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提交时间:2019/12/24
Semiconductor materials and devices
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1815568A1, 申请日期: 2007-08-08, 公开日期: 2007-08-08
发明人:
WATSON, IAN, MICHAEL INSTITUTE OF PHOTONICS
;
DAWSON, MARTIN INSTITUTE OF PHOTONICS
;
GU, ERDAN INSTITUTE OF PHOTONICS
;
MARTIN, ROBERT, WILLIAM DEPARTMENT OF PHYSICS
;
EDWARDS, PAUL, ROGER DEPARTMENT OF PHYSICS
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提交时间:2019/12/31
Surface emitting semiconductor laser
专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7180926, 申请日期: 2007-02-20, 公开日期: 2007-02-20
发明人:
YOSHIKAWA, MASAHIRO
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提交时间:2020/01/13
Near-field light emitting device and data recording/reproduction apparatus
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1742312A2, 申请日期: 2007-01-10, 公开日期: 2007-01-10
发明人:
TAWA, FUMIHIRO C/O FUJITSU LIMITED
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提交时间:2019/12/31
Light emitting device package and method for manufacturing the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1724848A2, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2006-11-22
发明人:
KIM, GEUN HO
;
LEE, SEUNG YEOB, 402, JEONGSEOK GREEN VILLA
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提交时间:2019/12/30
Vertical structure semiconductor devices
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2005104780A2, 申请日期: 2005-11-10, 公开日期: 2005-11-10
发明人:
YOO, MYUNG CHEOL
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提交时间:2019/12/31
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:
NAGAHAMA, SHINICHI
;
SANO, MASAHIKO
;
YANAMOTO, TOMOYA
;
SAKAMOTO, KEIJI
;
YAMAMOTO, MASASHI
;
MORITA, DAISUKE
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提交时间:2019/12/30
Nitride semiconductor device comprising bonded substrate and fabrication method of the same
专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP1385215A2, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:
NAGAHAMA, SHINICHI
;
SANO, MASAHIKO
;
YANAMOTO, TOMOYA
;
SAKAMOTO, KEIJI
;
YAMAMOTO, MASASHI
;
MORITA, DAISUKE
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提交时间:2019/12/30