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半导体结构以及形成半导体结构的方法 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN105990391B, 申请日期: 2019-07-26, 公开日期: 2019-07-26
发明人:  蔡劲;  E·里欧班端;  李宁;  宁德雄;  J-O·普卢查特;  D·K·萨达纳
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使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
发明人:  郑政玮;  E·里欧班端;  李宁;  D·K·萨达纳;  徐崑庭
Adobe PDF(1419Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：90/0  |  提交时间：2019/12/26
使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: CN106025799B, 申请日期: 2019-04-19, 公开日期: 2019-04-19
发明人:  郑政玮;  E·里欧班端;  李宁;  D·K·萨达纳;  徐崑庭
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提高InAs/GaAs量子点半导体材料发光效率的方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: CN1471177A, 申请日期: 2004-01-28, 公开日期: 2004-01-28
发明人:  陆卫;  季亚林;  陈效双;  李志锋;  李宁;  陈贵宾;  汤乃云
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