Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
| 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 | |
| 其他题名 | 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构 |
郑政玮; E·里欧班端; 李宁 ; D·K·萨达纳; 徐崑庭
| |
| 2019-04-19 | |
| 专利权人 | 国际商业机器公司 |
| 公开日期 | 2019-04-19 |
| 授权国家 | 中国 |
| 专利类型 | 授权发明 |
| 摘要 | 一种使用纵横比俘获(ART)生长在硅上形成激光器的方法。方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层中刻蚀沟槽从而暴露衬底的顶表面；使用ART生长在沟槽中形成缓冲层；在缓冲层上形成激光器，激光器包括至少一个活性区域以及顶部包覆层；以及形成在顶部包覆层上的顶部接触以及在衬底上的底部接触。 |
| 其他摘要 | 一种使用纵横比俘获(ART)生长在硅上形成激光器的方法。方法可以包括：在衬底上形成第一绝缘体层；在第一绝缘体层中刻蚀沟槽从而暴露衬底的顶表面；使用ART生长在沟槽中形成缓冲层；在缓冲层上形成激光器，激光器包括至少一个活性区域以及顶部包覆层；以及形成在顶部包覆层上的顶部接触以及在衬底上的底部接触。 |
| 申请日期 | 2016-03-29 |
| 专利号 | CN106025799B |
| 专利状态 | 授权 |
| 申请号 | CN20161018875X |
| 公开（公告）号 | CN106025799B |
| IPC 分类号 | H01S5/323 |
| 专利代理人 | 酆迅 | 张宁 |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 |
| 文献类型 | 专利 |
| 条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/49380 |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 国际商业机器公司 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 郑政玮,E·里欧班端,李宁,等. 使用纵横比俘获生长的硅上激光器结构. CN106025799B[P]. 2019-04-19. |
| 条目包含的文件 | ||||||
| 文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
| CN106025799B.PDF（1419KB） | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 | ||
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