Xi'an Institute of Optics and Precision Mechanics,CAS
半导体结构以及形成半导体结构的方法 | |
其他题名 | 半导体结构以及形成半导体结构的方法 |
蔡劲; E·里欧班端; 李宁![]() | |
2019-07-26 | |
专利权人 | 国际商业机器公司 |
公开日期 | 2019-07-26 |
授权国家 | 中国 |
专利类型 | 授权发明 |
摘要 | 在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后,在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠,该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来,在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT),其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后,在第二沟槽中形成激光二极管。 |
其他摘要 | 在形成延伸通过顶部半导体层以及隐埋绝缘体层并且延伸到绝缘体上半导体(SOI)衬底的处理衬底中的第一沟槽之后,在第一沟槽内形成电介质波导材料堆叠,该电介质波导材料堆叠包括下电介质包覆层、核心层以及上电介质包覆层。接下来,在顶部半导体层的剩余部分中形成至少一个横向双极结型晶体管(BJT),其可以是PNP BJT、NPN BJT或者一对互补的PNP BJT和NPN BJT。在形成延伸通过电介质波导材料堆叠的第二沟槽以重新暴露第一沟槽的底部表面的一部分之后,在第二沟槽中形成激光二极管。 |
授权日期 | 2019-07-26 |
申请日期 | 2016-03-18 |
专利号 | CN105990391B |
专利状态 | 授权 |
申请号 | CN201610159010.9 |
公开(公告)号 | CN105990391B |
IPC 分类号 | H01L27/15 | H01L33/44 | H01L21/77 |
专利代理人 | 酆迅 |
代理机构 | 北京市金杜律师事务所 |
文献类型 | 专利 |
条目标识符 | http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/38773 |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | 国际商业机器公司 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 蔡劲,E·里欧班端,李宁,等. 半导体结构以及形成半导体结构的方法. CN105990391B[P]. 2019-07-26. |
条目包含的文件 | ||||||
文件名称/大小 | 文献类型 | 版本类型 | 开放类型 | 使用许可 | ||
CN105990391B.PDF(6603KB) | 专利 | 开放获取 | CC BY-NC-SA | 请求全文 |
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