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Multi-Channel Source Assembly for Downhole Spectroscopy 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP2320214A2, 申请日期: 2011-05-11, 公开日期: 2011-05-11
发明人:  FORD, JESS V.;  BLANKINSHIP, THOMAS;  KASPERSKI, BRYAN;  WAID, MARGARET C.;  CHRISTIAN, SEAN M.
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半導体素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040926A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  山口 恭司;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010040923A, 申请日期: 2010-02-18, 公开日期: 2010-02-18
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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Apparatus for noninvasive measurement of glucose through near-infrared spectroscopy 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: IN228769B, 申请日期: 2009-02-10, 公开日期: 2009-02-13
发明人:  ABUL-HAJ ALAN N;  MONFRE STEPHEN L;  HAZEN KEVIN H;  ACOSTA GEORGE;  HENDERSON JAMES R;  RUCHTI TIMOTHY L;  BLANK THOMAS B
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窒化物半導体発光素子および窒化物半導体発光素子の製造方法 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2008263247A, 申请日期: 2008-10-30, 公开日期: 2008-10-30
发明人:  神川 剛;  川口 佳伸
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질화물반도체 발광 소자 및 질화물반도체 레이저 소자의제조 방법 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: KR1020080016908A, 申请日期: 2008-02-22, 公开日期: 2008-02-22
发明人:  카미카와타케시;  가와쿠치요시노부
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化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3710627B2, 申请日期: 2005-08-19, 公开日期: 2005-10-26
发明人:  堀江 秀善;  太田 弘貴;  藤森 俊成
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化合物半導体発光素子 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: JP3699841B2, 申请日期: 2005-07-15, 公开日期: 2005-09-28
发明人:  堀江 秀善;  太田 弘貴;  藤森 俊成
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Methods and apparatus for detecting impurities in semiconductors 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0422780A2, 申请日期: 1991-04-17, 公开日期: 1991-04-17
发明人:  CARVER, GARY ERNEST;  MICHALSKI, JOHN DENNIS;  KOOS, GREGORY LEE
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半導体素子および半導体発光素子 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP2010016232A, 公开日期: 2010-01-21
发明人:  岸野 克巳;  野村 一郎;  田才 邦彦;  玉村 好司;  朝妻 庸紀;  中島 博;  中村 均;  藤崎 寿美子;  紀川 健
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