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Method for fabricating a semiconductor laser device in which the P-type clad layer and the active layer are grown at different rates 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5190891, 申请日期: 1993-03-02, 公开日期: 1993-03-02
发明人:  YOKOTSUKA, TATSUO;  TAKAMORI, AKIRA;  NAKAJIMA, MASATO;  SUZUKI, TOMOKO
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Semiconductor light-emitting device 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5124995, 申请日期: 1992-06-23, 公开日期: 1992-06-23
发明人:  YOKOTSUKA, TATSUO;  TAKAMORI, AKIRA
Adobe PDF(758Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2020/01/18
Semiconductor laser device comprising a SiGe single crystal substrate 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: EP0460939A2, 申请日期: 1991-12-11, 公开日期: 1991-12-11
发明人:  YOKOTSUKA, TATSUO;  NAKAJIMA, MASATO
Adobe PDF(460Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：46/0  |  提交时间：2019/12/31