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Production method of III nitride compound semiconductor and III nitride compound semiconductor element 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7141444, 申请日期: 2006-11-28, 公开日期: 2006-11-28
发明人:  KOIKE, MASAYOSHI;  TEZEN, YUTA;  YAMASHITA, HIROSHI;  NAGAI, SEIJI;  HIRAMATSU, TOSHIO
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Group III nitride compound semiconductor laser 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6680957, 申请日期: 2004-01-20, 公开日期: 2004-01-20
发明人:  KOIKE, MASAYOSHI;  YAMASAKI, SHIRO;  TEZEN, YUTA;  NAGAI, SEIJI;  KOJIMA, AKIRA;  HIRAMATSU, TOSHIO
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Method for manufacturing group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6486068, 申请日期: 2002-11-26, 公开日期: 2002-11-26
发明人:  YAMASAKI, SHIRO;  NAGAI, SEIJI;  KOIKE, MASAYOSHI;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI;  YAMADA, ISAO;  MATSUO, JIRO
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Production method of iii nitride compound semiconductor, and iii nitride compound semiconductor element based on it 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2002080243A1, 申请日期: 2002-10-10, 公开日期: 2002-10-10
发明人:  NAGAI, SEIJI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KODAMA, MASAHITO
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Production method of iii nitride compound semiconductor substrate and semiconductor device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: WO2001084608A1, 申请日期: 2001-11-08, 公开日期: 2001-11-08
发明人:  KOIKE, MASAYOSHI;  NAGAI, SEIJI;  TEZEN, YUTA
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Group III nitride compound semiconductor laser diodes 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US5889806, 申请日期: 1999-03-30, 公开日期: 1999-03-30
发明人:  NAGAI, SEIJI;  YAMASAKI, SHIRO;  KOIKE, MASAYOSHI;  TOMITA, KAZUYOSHI;  KACHI, TETSU;  AKASAKI, ISAMU;  AMANO, HIROSHI
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Method for manufacturing group-III nitride compound semiconductor, and group-III nitride compound semiconductor device 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20040219702A1, 公开日期: 2004-11-04
发明人:  NAGAI, SEIJI;  KOIKE, MASAYOSHI;  TOMITA, KAZUYOSHI
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