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Semiconductor material having si-doped gainp cap layer 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1992278522A, 申请日期: 1992-10-05, 公开日期: 1992-10-05
发明人:  MAEDA SHIGEO;  TOYAMA OSAMU;  WATABE SHINICHI
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Semiconductor material provided with si-doped gainp layer 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1992269876A, 申请日期: 1992-09-25, 公开日期: 1992-09-25
发明人:  MAEDA SHIGEO;  WATABE SHINICHI;  TADATOMO KAZUYUKI
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Semiconductor material of light emitting element provided with distorted active layer 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: JP1992369874A, 公开日期: 1992-12-22
发明人:  TADATOMO KAZUYUKI;  WATABE SHINICHI;  MAEDA SHIGEO;  TOYAMA OSAMU
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