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Semiconductor light emitting diodes including multiple bond pads on a single semiconductor die 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US8524515, 申请日期: 2013-09-03, 公开日期: 2013-09-03
发明人:  EDMOND, JOHN ADAM
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Methods of treating a silicon carbide substrate for improved epitaxial deposition and resulting structures and devices 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US7675068, 申请日期: 2010-03-09, 公开日期: 2010-03-09
发明人:  MCCLURE, DAVIS ANDREW;  SUVOROV, ALEXANDER;  EDMOND, JOHN ADAM;  SLATER, JR., DAVID BEARDSLEY
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Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6952024, 申请日期: 2005-10-04, 公开日期: 2005-10-04
发明人:  EDMOND, JOHN ADAM;  DOVERSPIKE, KATHLEEN MARIE;  KONG, HUA-SHUANG;  BERGMANN, MICHAEL JOHN
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Single step pendeo- and lateral epitaxial overgrowth of Group III-nitride epitaxial layers with Group III-nitride buffer layer and resulting structures 专利
专利类型: 授权发明, 专利号: US6803602, 申请日期: 2004-10-12, 公开日期: 2004-10-12
发明人:  KONG, HUA-SHUANG;  EDMOND, JOHN ADAM;  HABERERN, KEVIN WARD;  EMERSON, DAVID TODD
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Group III Nitride LED with Undoped Cladding Layer 专利
专利类型: 发明申请, 专利号: US20060233211A1, 公开日期: 2006-10-19
发明人:  EDMOND, JOHN ADAM;  DOVERSPIKE, KATHLEEN MARIE;  KONG, HUA-SHUANG;  BERGMANN, MICHAEL JOHN
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