Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer

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	Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer
其他题名	Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer
	EDMOND, JOHN ADAM; DOVERSPIKE, KATHLEEN MARIE; KONG, HUA-SHUANG; BERGMANN, MICHAEL JOHN
	2005-10-04
专利权人	CREE, INC.
公开日期	2005-10-04
授权国家	美国
专利类型	授权发明
摘要	A semiconductor structure for light emitting devices includes a Group III nitride active layer positioned between a silicon carbide cladding layer and a Group III nitride cladding layer, wherein the silicon carbide cladding layer and the Group III nitride cladding layer have opposite conductivity types. Moreover, the silicon carbide cladding layer and the Group III nitride cladding layer have respective bandgaps that are larger than the bandgap of the active layer.
其他摘要	用于发光器件的半导体结构包括位于碳化硅覆层和III族氮化物覆层之间的III族氮化物有源层，其中碳化硅覆层和III族氮化物覆层具有相反的导电类型。此外，碳化硅覆层和III族氮化物覆层具有各自的带隙，其大于有源层的带隙。
主权项	A light emitting device comprising: a silicon carbide substrate; a cladding layer consisting essentially of an epitaxial layer of silicon carbide on said substrate; a Group III nitride cladding layer of AlxInyGa1-x-yN, where 0
申请日期	2003-02-13
专利号	US6952024
专利状态	授权
申请号	US10/365901
公开（公告）号	US6952024
IPC 分类号	H01L33/00 \| H01S5/323 \| H01S5/32 \| H01S5/00 \| H01L33/26 \| H01L33/32
专利代理人	-
代理机构	SUMMA & ALLAN,P.A.
文献类型	专利
条目标识符	http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/46107
专题	半导体激光器专利数据库
作者单位	CREE, INC.
推荐引用方式 GB/T 7714	EDMOND, JOHN ADAM,DOVERSPIKE, KATHLEEN MARIE,KONG, HUA-SHUANG,et al. Group III nitride LED with silicon carbide cladding layer. US6952024[P]. 2005-10-04.

条目包含的文件
文件名称/大小	文献类型	版本类型	开放类型	使用许可
US6952024.PDF（671KB）	专利		开放获取	CC BY-NC-SA	请求全文